Mini LED背光比傳統直下式LED背光，光學距離(OD)更短，同時實現更小范圍內的區域調光(local dimming)、更高色彩對比度、更好亮度均勻性，終端產品超薄、高顯色性、省電。而比側入式LED背光導光系統簡單，光源分布更加均勻，同時終端產品能夠擁有側入式的輕薄和直下式的無邊框。

Micro LED不僅僅是LED芯片尺寸縮小到微米級，它所要求的芯片技術、轉移技術，修復技術，和驅動技術完全不同于目前的照明和背光LED工藝。在高良率，高精度，微米尺寸，高集成度的要求下，MicroLED的制程發展很大可能會統一到IC工藝。基于自主創新的GaN-on-Si技術制造MicroLED具有IC工藝兼容度高，襯底尺寸大，制作成本低，襯底易無損剝離等重要優勢，在和CMOS多功能電路的高密度集成方面有更大的潛力。