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          阿里達摩院發布2021十大科技趨勢,GaN列趨勢之首

          時間:2020-12-29 來源:阿里研究院 點擊:660

          12月28日,阿里巴巴達摩院發布2021十大科技趨勢,為后疫情時代基礎技術及科技產業將如何發展提供了全新預測。


          “以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體迎來應用大爆發”位列趨勢之首。


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          阿里巴巴達摩院認為:以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體,具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優異特性,但受工藝、成本等因素限制,多年來僅限于小范圍應用。


          近年來,隨著材料生長、器件制備等技術的不斷突破,第三代半導體的性價比優勢逐漸顯現,并正在打開應用市場:SiC元件已用作汽車逆變器,GaN快速充電器也大量上市。


          未來五年,基于第三代半導體材料的電子器件將廣泛應用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數據中心等場景。


          關于晶能

          晶能光電專注于硅襯底氮化鎵技術近二十年,在全球率先實現了硅襯底GaN基LED的產業化,開創了GaN基LED第三條技術路線,獲得2015年度國家技術發明獎一等獎。在移動照明、手機閃光燈、紫外工業固化、汽車照明等高端應用領域實現了核心器件進口替代。晶能光電正在將具有完全自主知識產權的硅襯底氮化鎵技術優勢延伸至第三代半導體氮化鎵功率和射頻器件領域,在國家“863”計劃等項目的支持下,晶能光電突破了8英寸硅襯底高質量的GaN材料和器件結構生長,技術水平在氮化鎵材料領域處于領跑位置。


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