LED顯示照明行業新十年|硅基Mini LED顯示
LED行業每十年左右迎來一輪大的技術和應用升級。十年前以大尺寸背光、小間距顯示為代表的應用升級，驅動了2010-2017年LED行業的繁榮。而結合目前芯片價格上漲、中國臺灣產業鏈營收回暖等跡象，LED行業拐點正在來臨，下游需求向好疊加技術升級推動行業景氣抬升，Mini/Micro LED將開啟下一個十年。
LED日趨微型化，Mini & Micro LED應運而生， Mini?LED背光產品對提升顯示質量效果顯著， Mini LED背光商業化進展迅速，有望成為液晶高端顯示器解決方案。專家預測Mini & Micro LED直顯可能是未來最優的顯示技術；高畫質、低能耗特點使其在消費電子市場優勢盡顯。
2021年8月4日，深圳市照明與顯示工程行業協會、惠州仲愷高新區LED品牌發展促進會、廣州國際照明展覽會在廣州國際照明展9.2號館E60聯合主辦主題為“LED顯示照明行業新十年”的Mini & Micro LED顯示照明發展高峰論壇。
大會現場
晶能芯片中心總監楊小東出席Mini & Micro LED顯示照明發展高峰論壇并做《硅基LED Mini超高清顯示屏應用趨勢》主題演講。
晶能芯片中心總監? 楊小東
以下是報告主要內容：
晶能硅基垂直芯片方案有三大優勢：
01
Mini LED顯示方案
晶能TFFC芯片P0.6—P0.3間距解決方案簡介：
????? TFFC: 一般指經過襯底剝離的薄膜LED芯片，做成倒裝結構，稱為thin film flip chip，薄膜倒裝LED芯片或者去襯底倒裝LED芯片，簡稱TFFC。
晶能P0.6—P0.3顯示方案TFFC 2*4mil芯片簡介：
VTF/TFFC 芯片實現P0.6—0.3技術方案介紹：
????? 由于現有四元紅光去襯底后機械強度不夠，在極小芯片尺寸下進行轉移的過程中容易碎裂，很難進行后續的工藝生產。晶能將以下兩個技術路線為主要研發方向：
技術路線一：
????? RGB三色均采用InGaN TFFC ，LED外延、芯片制程統一。硅基InGaN紅光LED取得巨大突破，為該技術提供可能。
技術路線二：
???? TFFC芯片+量子點/KSF紅光（QD/KSF+藍光InGaNLED）,采用印刷、噴涂、打印等技術，在藍光LED表面放置QD或者KSF熒光粉得到紅色的LED。
TFFC、FC與Micro芯片對比（實現P0.6以下間距顯示）：
???? 用Micro芯片技術的約70%去實現Mini顯示，降低了技術難度，同時可以讓4k、8k超高清顯示的LED芯片成本大幅度降低，大量量產有機會在2年內實現。
02
硅基Mini LED芯片進展
晶能硅基Mini LED 產品量產規劃：
4K、8K Mini超高清顯示大屏在5G技術的驅動下勢不可擋，晶能硅基Mini LED芯片技術路線有機會提供一個超高性價比光源解決方案。
03
硅基Micro?LED芯片展望
Micro LED預研：
世界范圍內主流Micro的研究方向還是以硅襯底GaN ?LED去襯底技術路線為主，由于硅襯底GaN與硅半導體晶圓的物理兼容性，可以最大效能利用晶能現有資源，同時避開巨量轉移問題，公司優先著力Micro LED微顯示研究，應用AR/VR/HUD/HMD等方向。
硅基GaN與硅基CMOS驅動電路進行晶圓級邦定，去除硅襯底后在CMOS晶圓繼續GaN芯片工藝。
研發路線：先單色，后全彩。
