在最近美國舉行的2013 Strategies in Light會議上，晶能光電CTO趙漢明博士報告了硅基LED的最新進展情況。

在題目為“Commercialization of High Power LEDs based on GaN/Si technology”的報告中，他從產品的工藝、種類、性能、應用和特點等方面詳細介紹了晶能光電硅基大功率LED芯片的最新研究進展及量產情況，指出晶能光電作為目前全球最早實現硅基LED芯片量產的公司，將打破藍寶石襯底和碳化硅襯底LED芯片的壟斷局面，為高效率低成本的半導體照明做出自己的貢獻。

報告重點介紹了包括28*28mil、35*35mil、45*45mil和55*55mil在內的四款硅基大功率LED芯片，此前晶能光電在廣州香格里拉大酒店舉行的新一代大功率硅基LED芯片產品發布會上推出了這四款產品，45mil的硅基大功率LED芯片發光效率可達到120lm/W。

趙漢明博士指出，經過幾個月的努力，現在晶能光電45mil的硅基大功率LED芯片發光效率已經提高到130lm/W，產品封裝后藍光功率最高可達615mW，白光光通量最高可達145lm，而55mil的硅基大功率LED芯片發光效率可達140lm/W。趙博士指出，目前藍寶石襯底LED技術已經很成熟，世界上99%的公司都是用這個技術制造LED；碳化硅襯底LED技術主要是科銳在用，技術也比較成熟；用硅做襯底最有潛力，但也最難。晶能光電從2006年成立以來，就專注硅基LED芯片的研究和開發，也是目前世界上最早將硅基LED產品推向市場的公司。

從產品來講，硅基LED芯片是垂直結構芯片，比起常見的藍寶石芯片，硅基LED芯片具有出光形貌好、散熱優良、適合于大電流驅動以及陶瓷封裝效率高等特點。從技術成本方面來講，硅基LED芯片用的是銀反射鏡垂直結構技術，與ITO水平結構的藍寶石LED芯片相比，具有散熱好、電流擴展好等優勢，同樣大小的LED芯片，垂直結構的正常工作電流可以比ITO水平結構的高很多，因此單位面積芯片出光要高。同等總流明的燈具所需要的垂直結構LED芯片顆數要少，這是成本降低的一大因素。此外硅襯底比藍寶石更加適合于大尺寸外延。藍寶石襯底技術在從2寸轉向6寸、8寸時技術壁壘非常高，生產成本不降反升。但對于硅襯底LED技術，從2寸轉向6-12寸襯底時比較順暢，并且可以利用成熟的IC工藝和大尺寸硅襯底成本低的優勢，大幅度提高LED產線的自動化程度和生產效率，降低LED產品的綜合成本。目前晶能光電正在開發6寸GaN/Si技術的量產技術，用6寸硅襯底開發的45mil硅基大功率LED芯片光效可達120lm/W。

晶能光電在硅襯底LED光效的提高和產品的量產方面正取得決定性和突破性的進展。從光效來講，硅基LED芯片達到了和同尺寸的藍寶石基的芯片完全相當的水平，客戶反饋表明，硅襯底LED芯片在電壓、漏電以及可靠性等方面比同類的藍寶石芯片更好。從產量來講，目前晶能光電在硅襯底小功率LED芯片量產的數年后，已經開始批量生產大功率硅基LED芯片，產能已經達到2寸晶圓每月5萬片，已擁有約50個客戶。晶能光電將與國內外的封裝公司合作，推廣大功率硅襯底LED芯片，同時將與LED照明公司合作，盡快推出用硅基LED芯片做成的各種模組和燈具，這些燈具將在芯片方面沒有專利問題。同時還將與IC行業的企業進行合作，共同推進大尺寸硅襯底LED技術的發展。晶能光電將通過技術的進步和良率的提升，驅動LED芯片成本的持續下降，為LED照明的進一步發展做出貢獻。

晶能光電（江西）有限公司是由金沙江、淡馬錫、國際金融公司（IFC）等多家著名的投資機構共同投資，專門從事LED外延材料與芯片生產的高科技企業，目前注冊資金8500萬美元，總投資超過1.2億美元。晶能光電一貫重視研發創新，在硅基LED技術方面具有核心競爭力，擁有的硅基氮化鎵LED材料與器件技術是一項改寫半導體照明歷史的顛復性新技術，具有原創知識產權，在藍寶石襯底、碳化硅襯底之外，形成了第三條半導體照明技術路線。針對硅基LED外延芯片技術申請了國際國內200多項專利，其中PCT專利32項，且已在美國、歐盟、日本和韓國等國家或地區提出了申請。晶能光電生產的硅基LED芯片具有如下三大優勢：

1、具有原創知識產權，產品可銷往國際市場，不受國際專利限制；

2、具有優良的性能：器件散熱好、可在大電流密度下工作、抗靜電性能好、壽命長、光斑形狀好；

3、器件封裝工藝簡單，垂直結構芯片，適合做熒光粉直涂工藝，節約封裝成本。