芯片，是LED的核心部件。目前國內外有很多LED芯片廠家，然芯片分類沒有統一的標準，若按功率分類，則有大功率和中小功率之分;若按顏色分類，則主要為紅色、綠色、藍色三種;若按形狀分類，一般分為方片、圓片兩種;若按電壓分類，則分為低壓直流芯片和高壓直流芯片。

襯底材料技術成關鍵

目前，LED芯片技術的發展關鍵在于襯底材料生長技術。除了傳統的藍寶石、硅(Si)、碳化硅(SiC)襯底材料以外，氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當前LED芯片研究的焦點。目前，市面上大多采用藍寶石或碳化硅襯底來外延生長寬帶隙半導體氮化鎵，但這兩種材料價格都非常昂貴，且都為國外大企業所壟斷，而硅襯底的價格比藍寶石和碳化硅襯底便宜得多，可制作出尺寸更大的襯底，提高MOCVD的利用率，從而提高管芯產率。所以，為突破國際專利壁壘，晶能光電從2006年成立以來，就專注硅襯底LED芯片的研究和開發，也是目前世界上唯一一家將硅襯底LED產品推向市場的公司。

從襯底角度看，藍寶石和碳化硅襯底技術已經相對成熟，但硅已經成為芯片領域今后的發展趨勢。對于價格戰日益嚴重的LED市場來說，硅襯底更有成本和價格優勢：硅襯底是導電襯底，不但可以減少管芯面積，還可以省去對氮化鎵外延層的干法腐蝕步驟，加之，硅的硬度比藍寶石和碳化硅低，在加工方面也可以節省一些成本。

目前LED產業大多以2英寸或4英寸的藍寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術，至少可節省75%的原料成本。據日本三墾電氣公司估計，使用硅襯底制作大尺寸藍光氮化鎵LED的制造成本將比藍寶石襯底和碳化硅襯底低90%。

硅襯底芯片技術突飛猛進

晶能光電從公司成立之初，就創新性地運用“硅”代替傳統的藍寶石或碳化硅作為襯底制造氮化鎵基LED器件，并在全球率先將具有自主知識產權的硅襯底LED技術產業化。這是一項改寫半導體照明歷史的顛覆性新技術，具有原創技術產權。國家863專家組對此項技術的評價是：“打破了目前日本日亞公司壟斷藍寶石襯底和美國CREE公司壟斷碳化硅基半導體照明技術的局面，形成了藍寶石、碳化硅、硅基半導體照明技術方案三足鼎立的局面。”

2009年晶能光電推出硅襯底小功率LED產品，2012年推出硅襯底大功率LED產品，2013年在廣州國際照明展上，晶能光電展出的6英寸硅襯底LED芯片，以及聯合下游中節能晶和照明公司推出的采用大功率LED芯片的路燈模組，引起了國內外眾多行業人士的廣泛關注。硅襯底LED大功率芯片發光效率由2011年的90流明/瓦提升到目前的150流明/瓦，產品性能已與當前市場上主流的藍寶石LED產品水平相當，甚至在部分領域超過了當前的主流技術。

未來三年，全球LED照明呈井噴式增長，硅襯底LED技術將以技術創新提升競爭優勢、垂直整合打造規模發展、渠道建設營造品牌效應，三駕馬車迎接挑戰。