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          行業權威媒體|再造一個Micro LED產業基地!晶能外延總監眼中的Micro LED未來

          時間:2022-09-14 來源:LEDinside 點擊:1907

          現在全球的LED產業鏈資源都聚集在中國,國內的廠商完全有能力再造一個Micro LED產業基地。

          ——晶能光電(江西)有限公司外延總監涂逵

          時間已來到2022年,晶能光電成立16年了。十余年的光陰里,晶能光電走過了一段艱苦卓絕的技術產業化歷程,秉持著堅守的信念、本分的精神,用過硬的品質,從移動照明到手機閃光燈,再到汽車照明,鍛造了一個又一個細分領域的“單打冠軍”。

          來到LED微縮化時代,晶能光電又將硅襯底GaN基材料技術應用于Micro LED,進度喜人:2020年適用于戶外高分辨率顯示屏的硅襯底垂直Mini LED藍綠芯片批量生產;2021年9月成功制備出硅襯底紅光Micro LED;2022年R、G、B三基色Micro LED矩陣成功點亮……

          長遠來看,Micro LED作為終極顯示解決方案,應用前景以及其可創造的價值都極具吸引力。近日,LEDinside與晶能光電(江西)有限公司外延總監涂逵進行對話,暢談硅襯底Micro LED發展大潮,共謀中國Micro LED產業的未來。

          博弈與發展:Micro LED的技術路線

          ?問??實現Micro LED的技術路線主要有哪些?

          ?答??目前,Micro LED的技術路線有兩種:芯片巨量轉移高PPI的晶圓直接鍵合方案從Micro LED生長襯底來分,也存在兩種技術路線:一種是4/6英寸的藍寶石襯底外延,利用激光剝離技術制備Micro LED;另一種是8英寸及以上硅襯底LED外延,利用濕法無損去硅和類IC工藝制備Micro LED。

          業界普遍認為大尺寸硅襯底方案將更適合生產晶圓直接鍵合、高良率、高PPI、低成本、面向AR應用的Micro LED微顯模組。

          ?問??目前市場上主要采用藍寶石襯底,硅襯底并非LED界的主流,原因是什么?

          ?答??我認為主流和非主流是相對而言的。

          藍寶石襯底LED技術是所謂的產業“主流”,因為藍寶石襯底LED外延技術相對成熟,規模優勢明顯,在通用照明領域已經有了較好的應用,從業的企業多,行業內技術流轉通暢。

          硅襯底LED技術是“非主流”。到目前為止,除晶能光電、三星之外,真正規模化量產硅襯底LED的公司幾乎沒有,因為它難度大、開發時間長,且全技術鏈條完全依靠自主研發,不利于LED行業復制擴產,這些都是制約其成為“主流”的客觀原因。

          但在一些特殊的照明應用上,比如移動照明、手機閃光燈、汽車照明等,硅襯底LED技術的垂直結構、單面出光的優勢可以發揮到極致。在這些領域,晶能光電已經取得不錯的成績;而在Micro LED等新型顯示領域,我認為,大尺寸加上垂直結構工藝,硅襯底LED技術的潛力不可限量。

          技術與挑戰:前路漫漫亦燦燦

          ?問??晶能光電在硅襯底Micro LED技術上的優勢是什么?

          ?答??晶能光電走的是硅襯底Micro LED技術路線,這也是我們的優勢。我們現在是硅襯底GaN基LED生產的IDM企業,擁有包括硅襯底GaN材料生長、LED芯片制備,燈珠模組生產的全鏈條產業化積累,產品在移動照明、閃光燈、戶外照明、直顯屏領域歷經考驗,獲得了中高端市場的認可。

          在大尺寸領域,晶能光電早在2012年就實現了8英寸藍光外延片的穩定量產,2019年和2020年分別實現了8英寸綠光外延片和紅光外延片的量產,目前正在向位于國內、歐美以及東南亞等國家及地區的20多家企業和科研單位提供高質量的4~8英寸365nm~650nm硅襯底LED外延片。

          ?問??據了解,硅襯底在大尺寸方面有優勢,請問目前晶能光電的硅襯底主要采用哪個尺寸的工藝?未來的趨勢是什么?

          ?答??目前晶能光電的照明用產品線是利用4英寸硅襯底LED工藝平臺進行生產,這個尺寸已經具備了規模化生產的優勢,如果要轉成更大尺寸生產,需要在芯片端的一些設備上做一些改進,但更大尺寸的工藝我們是已經完全掌握的。

          Micro LED將主要基于8英寸平臺,目前8英寸Micro LED外延片已經量產,8英寸芯片產線正在完善中。未來一段時間,量產的產品仍將以8英寸為主,后續將根據市場和技術的成熟度適時推進12英寸工程驗證。

          ?問??紅光是Micro LED技術的重大瓶頸之一,晶能光電在這一方面有何突破?

          ?答??四元紅光Micro LED在芯片尺寸下降至微米級后,發光效率急劇劣化,并且四元紅光材料較脆,導致制程良率低下。

          業界非常寄望于以QD色轉全彩方案和InGaN紅光Micro LED實現技術突破。晶能光電一方面在QD色轉技術路線上與行業內知名機構聯合開發,目前已經有了不錯的效果;另一方面,在2020年推出8英寸硅襯底InGaN紅光外延技術,目前仍在持續研發以提升InGaN紅光光效。

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          晶能光電展示的硅襯底GaN基RGB Micro LED陣列

          應用與未來:國產化任重道遠

          ?問??硅襯底Micro LED技術目前處于哪種發展水平?中國企業和國際企業是否存在差距?

          ?答??晶能光電在硅襯底LED外延和芯片量產上已積累了16年的經驗,在消費電子、汽車電子等高端應用上通過了性能和可靠性的市場檢驗。這些產業化的經驗對硅襯底Micro LED芯片工藝的成功實施彌足珍貴。我們去年已經發布了三基色硅襯底Micro LED 芯片陣列,今年我們又有了新的突破。

          目前研究硅襯底Micro LED的國外企業有PLESSEY,ALLOS、Apple等,國內很多初創企業也在深度開發硅襯底GaN基Micro LED,我認為這是一個非常好的信號,說明不再是晶能一家在戰斗。Micro LED本質上是微米級的LED,只是技術和設備要求會更高一些。現在全球的LED產業鏈資源都聚集在中國,國內的廠商完全有能力再造一個Micro LED產業基地。

          ?問??國內在硅襯底Micro LED的產業鏈哪部分較為薄弱?您認為國內企業應該如何布局?

          ?答??我認為一個新興技術的突破首先是設備方面的突破,設備的國產化又會拉動技術的規模產業化。因此,在芯片端,目前Micro LED的核心設備如MOCVD、高分辨率光刻機等如果能夠盡快國產化,將對技術的突破有非常大的幫助。

          其次是全彩技術路線,我們認為需要解決QD色轉換效率、小尺寸芯片紅光效率(四元或InGaN紅光)等問題。目前國內已有多家企業布局硅襯底Micro LED的市場,利用外延+下游合作的模式,這樣能夠避開外延材料的高額研發投入,讓產品快速地走向市場。

          晶能光電一直是開放的、合作的,我們希望能夠和設備廠商一起努力,開發出國產化的Micro LED設備;同時和下游客戶一起,探索合適的Micro LED技術路線,幫助客戶持續降低成本,增加市場競爭力。

          ?問??硅襯底Micro LED產品能否進入消費級?主要在哪類應用場景率先起量?為什么?

          ?答??我相信再過3-5年,硅襯底Micro LED產品就能進入消費級。

          應用場景方面,硅襯底具有易剝離的技術特點,特別適合做集成的微顯示模組,在AR眼鏡/AR-HUD等領域會率先起量分別是消費電子和汽車電子市場。

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          Micro LED有望在AR眼鏡/AR-HUD等領域會率先起量

          這主要是因為,AR眼鏡目前存在的主要問題是亮度及續航,AR-HUD的主要問題是體積、亮度等,而這幾點都是Micro LED技術的優勢。

          另一方面,相對于大屏顯示,AR眼鏡/AR-HUD對顯示模組的成本敏感性沒有那么高,產品和市場匹配度較好,消費者接受程度高。同時,隨著8英寸硅襯底LED的大規模量產,Micro LED芯片的成本相比4英寸的藍寶石會大幅下降,在Mini/Micro LED大屏顯示市場將會引領新的技術潮流。

          但是我認為這個應用的實現,還是需要產業鏈上下游的共同努力。


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