晶能光電|硅襯底Micro LED技術最新進展
2022年8月9日，集邦咨詢第三代半導體前沿趨勢研討會圓滿閉幕。此次大會主要討論GaN/SiC等第三代半導體材料的應用趨勢和優勢，以及第三代半導體行業的發展現狀、面臨的瓶頸以及技術突破的方向等。
晶能光電此次由外延工藝經理周名兵分享了以《硅基氮化鎵Micro LED外延與器件研究進展》為主題的報告。報告指出Micro LED作為“終極顯示技術”其在未來將擁有千億級的市場，將在要求高分辨率、高亮度、高對比度的AR、HUD、車用照明和顯示、可穿戴設備等領域得到廣泛應用。
（晶能光電外延工藝經理周名兵）
目前Micro LED產業化仍面臨著關鍵技術和成本的挑戰，包括紅光光效、巨量轉移、晶圓鍵合、及全彩化工藝，迫切需要提升良率，并優化檢測和修復技術。
從產業化角度，利用大尺寸硅襯底GaN技術制備Micro LED，具有低成本、高良率、無損去硅、低翹曲、CMOS兼容性等諸多優勢。
8英寸的襯底相比于4英寸的襯底，單位襯底面積的Micro LED芯片產出增加了25%。利用8英寸硅襯底制備Micro LED，每個顯示模組的BOM成本只有4英寸藍寶石方案上的30%（含外延、芯片和CMOS）。
Micro LED產業化要求高良率的類IC制程，8英寸及以上的硅襯底GaN技術是實現Micro LED制備和硅IC工藝兼容的重要途徑。
紅光光效是Micro LED技術面臨的關鍵瓶頸之一，現有的AlInGaP紅光LED材料力學性能差，側壁效應使EQE急劇下降。InGaN基紅光Micro LED被認為是突破紅光瓶頸的重要解決方案。晶能光電在InGaN紅光LED的開發上取得初步成果。在36mil芯片樣品上，1A/cm2的電流密度下EQE為2.7%，峰值波長670nm,發光半高寬小于60nm.
晶能光電擁有領先的硅襯底LED技術，是擁有大規模生產制造能力的硅襯底LED生產企業。公司的硅襯底LED產業鏈覆蓋外延、芯片、器件、模組，并開發了高光效、高良率、大尺寸的近紫外、紅、綠、藍硅襯底GaN基LED外延片，并成功制備了三基色GaN Micro LED顯示陣列。
未來晶能光電將發揮硅襯底GaN技術及完整產業鏈的優勢，與行業同仁通力合作打破材料和技術的瓶頸，共同推動Micro LED產業的發展。
